三菱電機推出新款1200V SiC-MOSFET 功耗低/減小車載充電器尺寸
2020-6-19 來源：- 作者：-
三菱電機新款SiC-MOSFET問世。
據(jù)外媒報道，近日，日本三菱電機公司（Mitsubishi Electric Corporation）宣布推出N系列1200V碳化硅 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管），該產(chǎn)品功率損耗低且自接通耐受性高，還可以幫助降低功耗，實現(xiàn)電動汽車（EV）車載充電器、光伏電力系統(tǒng)等供電系統(tǒng)（需要轉(zhuǎn)換高壓）的小型化，產(chǎn)品樣品將于今年7月開始發(fā)貨。
（圖片來源：三菱電機）
三菱電機還將在大型貿(mào)易展會上展示其新款N系列1200V SiC-MOSFET，包括將于11月16日至18日在中國上海舉辦的2020 PCIM Asia（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會）上進行展示。
產(chǎn)品特點：
1、 降低功耗，實現(xiàn)供電系統(tǒng)的小型化
A、結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）摻雜技術(shù)既降低了1200V SiC-MOSFET的開關(guān)損耗和導通電阻，還讓其達到行業(yè)領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)（FOM）——1,450mΩ·nC。與采用傳統(tǒng)的硅絕緣柵門極晶體管（Si-IGBT）相比，用于供電系統(tǒng)的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了約85%。
B、通過降低鏡面電容（在MOSFET結(jié)構(gòu)中，柵極和漏極之間存在的雜散電容），與競爭對手的產(chǎn)品相比，1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。因此，可實現(xiàn)快速的開關(guān)操作，降低開關(guān)損耗。
C、由于降低了開關(guān)功率損耗，通過驅(qū)動具有更高載頻的功率半導體，得以實現(xiàn)冷卻系統(tǒng)及周邊部件（如反應(yīng)器）的小型化和簡單化，從而有助于降低整個供電系統(tǒng)的成本的尺寸。
2、 有六款1200V SiC-MOSFET，包括符合AEC-Q101規(guī)格的型號，適用于各種應(yīng)用
A、N系列1200V SiC-MOSFET產(chǎn)品包括符合美國汽車電子委員會AEC-Q101規(guī)格的型號，因此，該產(chǎn)品不僅適用于光伏系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用，也可用于電動汽車車載充電器。
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